對于大部分潔凈空間，為了防止外界污染侵入，需要保持內(nèi)部的壓力（靜壓）高于外部的壓力（靜壓）。壓力差的維持一般應(yīng)符合以下原則：

   1．潔凈空間的壓力要高于非潔凈空間的壓力。

   2.潔凈度級(jí)別高的空間的壓力要高于相鄰的潔凈度級(jí)別低的空間的壓力。

   3.相通潔凈室之間的門要開向潔凈度級(jí)別高的房間。

   壓力差的維持依靠新風(fēng)量，這個(gè)新風(fēng)量要能補(bǔ)償在這一壓力差下從縫隙漏泄掉的風(fēng)量。所以壓力差的物理意義就是漏泄（或滲透）風(fēng)量通過潔凈室的各種縫隙時(shí)的阻力。

   各級(jí)潔凈室之間應(yīng)保持的壓力差如表1一13所列

   對于一部分生物學(xué)潔凈室，為了防止危險(xiǎn)的微生物從操作或研究對象散發(fā)到控制空間以外而造成污染，需要保持內(nèi)部的壓力低于外部的壓力，一股根據(jù)生物學(xué)的危險(xiǎn)度級(jí)別來確定負(fù)壓的程度，將在以后談到。

  潔凈空間的溫濕度主要是根據(jù)工藝要求來確定，但在滿足工藝要求的條件下，應(yīng)考慮到人的舒適度感。隨著空氣潔凈度要求的提高，出現(xiàn)了工藝對溫濕度的要求也越來越嚴(yán)的趨勢，這從下面對比可以看出。

具體工藝對溫度的要求以后還要列舉，但作為總的原則看，由于加工精度越來越精細(xì)，所以對溫度波動(dòng)范圍的要求越來越小。例如在大規(guī)模集成電路生產(chǎn)的光刻曝光工藝中，作為掩膜板材料的玻璃與硅片的熱膨脹系數(shù)的差要求越來越小。直徑100 um的硅片，溫度上升1度，就引起了0.24um線性膨脹，所以必須有±0.1度的恒溫，同時(shí)要求濕度值一般較低，因?yàn)槿顺龊挂院?，對產(chǎn)品將有污染，特別是怕鈉的半導(dǎo)體車間，這種車間不宜超過25度。

   濕度過高產(chǎn)生的問題更多。相對濕度超過55%時(shí)，冷卻水管壁上會(huì)結(jié)露，如果發(fā)生在精密裝置或電路中，就會(huì)引起各種事故。相對濕度在50%時(shí)易生銹。此外，濕度太高時(shí)將通過空氣中的水分子把硅片表面粘著的灰塵化學(xué)吸附在表面耐難以清除。相對濕度越高,粘附的難去掉，但當(dāng)相對濕度低于30%時(shí)，又由于靜電力的作用使粒子也容易吸附于表面，同時(shí)大量半導(dǎo)體器件容易發(fā)生擊穿。對于硅片生產(chǎn)最佳溫度范圍為35―45%。

   人體舒適感一般與下列因素有關(guān)：空氣溫度濕度，吹過人體的空氣速度，所在空間內(nèi)各種表面溫度，人的活動(dòng)強(qiáng)度，生活習(xí)慣，衣著情況，年齡性別等。

   上述幾種不同因素的組合可以給人以相同的冷熱感覺即舒適感。在浩凈室中由于工作人員都穿潔凈工作服，有時(shí)還穿兩套這樣的工作服，而潔凈工作服一股是用尼龍、的確良等制做，透氣性較差，所以潔凈定中感到較舒適的溫濕度比一般環(huán)境的較低。所以(空氣潔凈技術(shù)措施》建議除工藝要求外，潔凈室溫度宜采用18―26度，相對溫度則宜用40―60%,夏季取上限，冬季取下限。